В далеком 1971 году профессор Леон Чуа разработал теоретические основы нового пассивного элемента электросхемотехники, который мог стать основой для всех электрических схем и использоваться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью. Но на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть до 2008 года, когда инженеры компании Hewlett-Packard (HP) впервые сообщили о создании на основе диоксида титана работающего мемристора. Наиболее важной характеристикой мемристора является способность менять свое сопротивление и запоминать свое состояние в течение долгого промежутка времени.
Компания Samsung разработала новую технологию памяти ReRAM, которая может выдержать триллион циклов перезаписи.
Память типа Resistive Random Access Memory (ReRAM) впервые была представлена в 1997 году, и в то время открытие нового типа памяти вызвало настоящий ажиотаж в околоэлектронных кругах. Компания Panasonic достаточно долго являлась лидирующей компанией в направлении разработки коммерческих вариантов микросхем памяти, выполненных по технологии ReRAM и множество других компаний вели собственные разработки в этом перспективном направлении. На сей раз компания Samsung перепрыгнула все предыдущие достижения, изобретя дополнительную технологию, которая увеличивает количество циклов перезаписи до одного триллиона.
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Новая передовая технология памяти ReRAM использует в качестве материала, изменяющего сопротивление, асимметричную двухслойную пленку Ta2O5-x/TaO2-x в отличие от других технологий, в которых применяется пленка из материала Ta2O5. Использование двух слоев разных материалов позволяет ограничить диапазон изменения удельного сопротивления материала. Так же для изменения сопротивления нового материала происходит при существенно меньшем значении протекающего через него электрического тока. Это, в свою очередь, позволяет уменьшить расход энергии, увеличить число циклов перезаписи до триллиона раз и обеспечивает высокую скорость записи информации в память нового типа.
Естественно, имея ресурс в миллион раз превышающий ресурс современной flash-памяти, новая память может стать основой для быстрых и недорогих устройств хранения информации большой емкости. А высокая скорость записи информации, составляющая всего 10 нс, позволяет использовать эту перспективнейшую технологию вместо обычной динамической оперативной памяти.
По материалу gizmowatch_com
Компания HP предрекает "смерть" флэш-памяти и SSD-дисков на ее основе в 2013 году.
Прежде чем покупать новый компьютер с SSD-диском или сам SSD-диск, Вам стоит потратить минутку времени и послушать то, о чем рассказывают представители компании Hewlett-Packard. Компания HP планирует через год-полтора выбросить на рынок технологию, будущую конкурировать с флэш-памятью, а к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти.
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Эта новая технология называется мемристором (memristor). Физически мемристоры представляют собой проводники, изготовленные из диоксида титана, шириной всего в 150 атомов. Когда через эти проводники протекает электрический ток определенной силы в нужном направлении, это приводит к изменению сопротивления всего проводника. И это свойство делает мемристор ячейкой памяти, для записи в нее 1 или 0 требуется только пропустить сквозь него электрический ток в определенном направлении. Прочитать записанную в мемристор информацию можно просто измерив его сопротивление.
Подобно флэш-памяти, мемристоры могут хранить информацию, вообще не потребляя энергии. Производство мемристоров несложно и легко реализуемо при использовании современных технологий производства компьютерных чипов. И развитие области использования мемристоров, согласно информации от компании HP, давно прошло стадию научного проекта, теперь это - коммерческий продукт.
Преимущества мемристоров по сравнению с флэш-памятью огромны, время чтения информации из одной ячейки составляет 10 наносекунд, а время стирания и записи - 0.1 наносекунды. Данные, записанные в мемристоры, могут храниться годами, а каждая ячейка, согласно расчетам, без потери информации сможет выдержать 1,000,000,000,000 циклов стирания-записи. Плотность хранения данных в мемристорных микросхемах памяти увеличится по сравнению с флэш-памятью минимум в два раза, скорость - в 10 раз, а расход энергии уменьшится в 10 раз. И это при стоимости, такой же, как и стоимость флэш-памяти.
Новая память, ReRAM (Resistive Random Access Memory), согласно планам HP, появится на рынке уже к 2013 году. Немного позже на рынке станут появляться образцы мемристорной памяти, заменяющие память DRAM и SRAM, что позволит значительно ускорить процесс загрузки компьютеров.
Компания HP является е единственной компанией в мире, которая ведет работу в данном направлении. Над мемристорами и их использованием в качестве памяти ведет работу компания Samsung, так что можно надеяться, что благодаря конкуренции новые продукты на основе памяти ReRAM будут относительно недорогими и поэтому доступными.
По материалу dvice_com
, он абсолютно травмобезопасен", – заявил А.Чубайс на встрече с премьер-министром В.Путиным.
Можно встречно предложить и производителям мебели подумать о безопасности и делать её из пенопласта. А стеночки класса, буде школьникам захочется головой в неё побиться - покрыть поролончиком... Ну и стеночки этой школы в жёлтенький цвет надо покрасить, для соответствия профилю.
Компания Sony представила "наголовный" дисплей под названием Personal 3D Viewer. Он способен выводить изображение как в 2D, так и в 3D-формате, сообщается в пресс-релизе на сайте Sony.
