Прорыв в технологиях оперативной памяти
Компании Fujitsu и SuVolta продемонстрировали полностью работоспособные образцы новой памяти стандарта SRAM (Static Random Access Memory – статическая оперативная память с произвольным доступом), изготовленные по давно известной технологии CMOS (Комплементарная Металл-Оксид-Полупроводниковая логика). Главным отличием этой технологии, получившей фирменное наименование «PowerShrink», является сниженное более чем в два раза потребление энергии на поддержание состояния элементов. Первые серийные изделия с технологией PowerShrink будут выпущены компанией Fujitsu в 2012 г. с технологической нормой 65 нанометров. Кроме того, разработчики планируют лицензировать технологию сторонним производителям.
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Технологию PowerShrink впервые разработала и показала в виде опытных образцов компания SuVolta 6 июня текущего года. Первым лицензиатом этой технологии стала компания Fujitsu, которая и показала первые предсерийные образцы новой статической памяти на конференции IEEE International Electron Devices Meeting в Вашингтоне (США).
По данным разработчиков, энергопотребление памяти SRAM плавно понижалось по мере уменьшения размера элементов в микросхемах. Например, при достижении технологической нормы (размера единичных элементов) в 130 нанометров необходимое напряжение питания упало до цифры порядка 1,0 В. Тем не менее, при дальнейшей миниатюризации не удавалось добиться значительного снижения по этому показателю, даже при технологической норме 28 нанометров напряжение питания пришлось оставить на уровне 1,0 В из-за множества факторов, включая непрогнозируемые флуктуации под влиянием примесей (RDF - Random Dopant Fluctuation). Единичные атомы загрязнений вносили слишком большую погрешность в напряжении питания каждого отдельного элемента схемы с пониженным общим напряжением питания, что тормозило работу по сокращению потребления энергии, а, следовательно, ухудшало ситуацию с охлаждением все более плотных микросхем.
Одним из ключевых достижений технологии PowerShrink, как заявляют компании Fujitsu и SuVolta, является технология «глубоко обедненного канала» DDC (Deeply Depleted Channel), которая уменьшает отклонения в напряжении питания для заданных областей схемы. Таким образом, добившись точной подачи питания на каждый элемент, разработчики смогли снизить напряжение входного питания до 0,425 В для чипа SRAM-памяти емкостью 576 килобит.
Создатели технологии PowerShrink также заявляют, что их разработка хорошо сочетается с существующими инфраструктурами, в том числе с конструкциями типа «система-на-чипе» (SoC – System-on-Chip), схемами контроля смещений и производственными линиями. Это значительное преимущество по сравнению с трехмерными полупроводниковыми затворами Intel Tri-Gate, которые также решают проблему RDF-флуктуаций.
Компания SuVolta существует уже 6 лет, однако до нынешнего года никак себя не проявляла. Представленная нынче технология PowerShrink не только снижает потребление энергии за счет глубоко обедненных КМОП-каналов на 30% за счет снижения напряжения питания, но и сокращает утечку мощности на 80% и более. Кроме того, новая технология не требует переоборудования производственных мощностей, в отличие от технологии Intel Tri-Gate, для внедрения которой потребовались миллионы долларов. Стоит отметить, что первые серийные процессоры Intel Ivy Bridge планируется выпустить уже в апреле 2012 года с технологической нормой 22 нанометра. Чипы с поддержкой технологии PowerShrink, изготовленные по 65-нм технологическому процессу, пойдут в серию во второй половине 2012 года.
»» Нажмите, для закрытия спойлера | Press to close the spoiler «« По материалу сайта TechCrunch
Добавлено:Процессоры будущего: транзисторы 3D III-V позволят создать более лёгкие устройства
Прогресс ожидает нас, порой, в неожиданных областях. В то время как пользователи ожидают инновации в области создания микропроцессоров на базе кристаллов кремния, учёные разрабатывают совершенно новые решения, как, например, транзисторы, использующие нанотрубки из индий галлия арсенида (InGaAs).
» Нажмите, для открытия спойлера | Press to open the spoiler «
Исследователи университетов Гарварда и Пердью утверждают, что новые транзисторы смогут когда-нибудь заменить кремний, благодаря своему высокому потоку электронов. Материалы такого типа, которые, в свою очередь, состоят из материалов III-V, то есть входящих в третью и пятую группу элементов периодической системы Менделеева, и обеспечивающих более эффективный поток электронов, в будущем позволят создавать более тонкие и лёгкие компьютерные устройства.
Профессор кафедры электронной и компьютерной инженерии в Пердью, г-н Пейде Йе (Peide Ye), отметил, что снижение размера затвора транзистора до 22 нанометров заставляет использовать более сложные структурные конфигурации при создании трёхмерных транзисторов, так как идеальный затвор похож на горлышко, причём такие затворы должны окружать транзистор со всех сторон. При работе с кремниевыми транзисторами использование такой структуры ещё возможно, но дальнейшее уменьшение, похоже, в конце концов, потребует переход к новым материалам. Нанотрубки, созданные из сплавов III-V позволят перейти к 10 нм техпроцессу.
»» Нажмите, для закрытия спойлера | Press to close the spoiler «« Источник: THG
Добавлено:Bluetooth-устройства проработают 10 лет без смены батареек
Одним из главных недостатков беспроводных клавиатур и мышей является необходимость в регулярной замене или подзарядке батарей. Пользователям известно, что ненадежные девайсы имеют обыкновение выходить из строя в самый неподходящий момент, например во время написания важного документа или в разгар онлайнового сражения. Технология, разработанная компанией Broadcom, решает эту проблему.
Недавно крупнейший производитель электронных компонентов анонсировал новый чип BCM20730 Bluetooth, который обеспечит бесперебойную работу Bluetooth-совместимых устройств в течение долгих 10 лет без подзарядки аккумулятора. Разумеется, чип может использоваться не только в клавиатурах и мышах, но и в других периферийных девайсах на базе популярного интерфейса, включая пульты дистанционного управления, игровые контроллеры или 3D-очки с активными затворами. Для обеспечения устройства питанием достаточно на протяжении столь длительного периода времени достаточно двух стандартных батареек AA.
Благодаря работе в режиме эмуляции USB и поддержке технологии Broadcom ZeroTouch, устройства на базе BCM20730 Bluetooth полностью готовы к эксплуатации сразу же после извлечения из упаковки и не предполагают обязательной процедуры «спаривания».
Инновационный чип уже готов к запуску в серийное производство, однако названия первых коммерческих продуктов с новым чипом и сроки их выхода на рынок пока не были объявлены.
По материалу сайта UberGizmo